Samsung Electronics akan memulai produksi massal V-NAND generasi ke-9 akhir bulan ini, menurut laporan media Hankyung. Memori 3D NAND Samsung generasi baru akan menampilkan 290 lapisan aktif, yang bukan merupakan peningkatan signifikan dari 236 lapisan, namun hal ini membawa perubahan besar dalam cara pembuatan perangkat flash ini.
Laporan tentang V-NAND Generasi ke-9 dengan 290 lapisan bertentangan dengan rencana resmi Samsung untuk memperkenalkan memori 3D NAND dengan lebih dari 300 lapisan pada tahun 2024, jadi ambillah informasi baru ini dengan hati-hati. Sementara itu, Samsung mungkin memutuskan untuk mengurangi jumlah lapisan aktif di memori V-NAND-nya untuk meningkatkan hasil. Meningkatkan hasil dengan mengorbankan kepadatan areal mungkin merupakan cara yang baik bagi Samsung untuk menurunkan biaya beberapa SSD terbaik yang dibuatnya, khususnya drive untuk sistem mainstream dan berbiaya rendah.
Fitur utama V-NAND Generasi ke-9 Samsung dengan 290 lapisan aktif adalah teknik produksi penumpukan string, menurut laporan tersebut. Proses manufaktur menggunakan penumpukan string melibatkan pembuatan lapisan CMOS dengan logika, kemudian susunan memori 3D NAND 145 lapisan di atasnya, dan kemudian flash 3D NAND 145 lapisan lainnya di atasnya. Meskipun teknik manufaktur ini rumit, teknik ini siap untuk meningkatkan hasil produk memori 3D NAND dengan ratusan lapisan, karena lebih mudah untuk membuat dua susunan 3D NAND 145 lapisan dibandingkan satu susunan 3D NAND 290 lapisan.
Pada akhirnya, peningkatan jumlah lapisan akan memungkinkan Samsung untuk meningkatkan kepadatan perekaman area pada perangkat 3D NAND-nya. Meningkatkan kepadatan 3D-NAND adalah tujuan utama semua pembuat memori NAND, seiring dengan meningkatnya permintaan flash di industri. Peningkatan jumlah lapisan pada perangkat 3D NAND juga meningkatkan efisiensi produksi. Biasanya, pembuat memori 3D NAND cenderung meningkatkan jumlah lapisan pada setiap node baru secara signifikan. Hal ini mungkin tidak terjadi pada V-NAND Generasi ke-9 Samsung dengan 290 lapisan, karena sepertinya node ini akan digunakan terutama untuk mempelajari cara menggunakan penumpukan string dalam produksi massal. Selain itu, ada kemungkinan bahwa dengan V-NAND Generasi ke-9, Samsung juga akan lebih fokus pada perangkat memori 3D QLC NAND.
Ke depan, Samsung memiliki rencana agresif untuk mempertahankan posisinya di pasar flash 3D NAND dengan memperkenalkan perangkat 3D NAND dengan jumlah lapisan yang lebih banyak, menurut laporan tersebut. Setelah peluncuran V9 290 lapis, perusahaan bermaksud untuk merilis V-NAND generasi ke-10 430 lapis pada paruh kedua tahun 2025, kata laporan itu. Informasi ini dikuatkan dengan laporan Blok dan File tahun lalu.
Sementara itu, pelaku industri lainnya juga tidak ketinggalan. SK hynix bersiap untuk memproduksi NAND 321 lapis pada awal tahun depan, sementara YMTC di Tiongkok berencana memproduksi produk 300 lapis pada paruh kedua tahun 2024, kata laporan itu.