Memori HBM4 diharapkan dapat meningkatkan bandwidth memori puncak secara drastis berkat antarmuka 2048-bitnya, yang akan sangat berguna untuk prosesor kecerdasan buatan (AI) dan komputasi kinerja tinggi (HPC) yang haus bandwidth. Namun HBM4 akan memerlukan banyak perubahan pada cara pembuatan dan integrasi memori bandwidth tinggi, yang memerlukan kolaborasi lebih erat antara pabrik logika dan pembuat memori. TSMC dan SK Hynix pasti mengetahui hal itu, itulah sebabnya mereka dikabarkan membentuk aliansi untuk ikut memproduksi HBM4.
Maeil Business News Korea melaporkan bahwa TSMC dan SK Hynix telah membentuk apa yang disebut AI Semiconductor Alliance yang akan menggabungkan kekuatan kedua perusahaan di bidangnya masing-masing dan menyelaraskan strategi mereka berdasarkan prinsip 'strategi satu tim'. Laporan tersebut mengatakan bahwa TSMC akan menangani 'beberapa proses HBM4', yang kemungkinan besar berarti memproduksi cetakan dasar HBM4 menggunakan salah satu teknologi proses canggih yang tidak dimiliki SK Hynix. Hal ini menguatkan laporan sebelumnya yang mengklaim bahwa HBM4 akan memerlukan cetakan dasar yang dibuat pada node produksi kelas 12nm. Laporan lain mengklaim bahwa SK Hynix dan Nvidia sedang mengerjakan teknologi yang akan menumpuk memori HBM langsung di atas prosesor tanpa substrat.
| batal | HBM4 | HBM3E | HBM3 | HBM2E |
| Lebar Antarmuka | 2048-bit | 1024-bit | 1024-bit | 1024-bit |
| Tumpukan Kapasitas Maks (hingga) | 36 GB – 64 GB | 36 GB | 24 GB | 16 GB |
| Kecepatan Transfer Data | ? | 9,2 GT/dtk | 6,4 GT/dtk | 3,6 GT/dtk |
| IC DRAM per Tumpukan | 16 | batal | batal | 8 |
| Bandwidth per Tumpukan (hingga) | 1,5 TB/dtk – 2+ TB/dtk | 1,2 TB/dtk | 819,2 GB/dtk | 460,8 GB/dtk |
Kolaborasi bot atas kematian berbasis HBM4 bukan satu-satunya aspek dari kerja sama TSMC dan SK Hynix. Sebagai bagian dari Aliansi Memori 3DFabric, TSMC bekerja sama dengan ketiga pembuat HBM, termasuk Micron, Samsung, dan SK Hynix. Terkait SK Hynix, perusahaan berkolaborasi dalam pengemasan CoWoS untuk HBM3 dan HBM4, Design Technology Co-Optimization (DTCO) untuk HBM, dan bahkan UCIe untuk antarmuka fisik HBM, menurut presentasi TSMC yang didemonstrasikan tahun lalu.
Salah satu alasan kerjasama antara TSMC dan SK Hynix adalah mereka perlu bekerja sangat erat untuk memastikan memori HBM3E dan HBM4 dari SK Hynix dapat berfungsi dengan chip buatan TSMC. Bagaimanapun, SK Hynix memimpin pasar HBM, sedangkan TSMC adalah pengecoran logam terbesar di dunia.
Sementara itu, Berita Bisnis Maeil Korea juga mencatat bahwa kolaborasi antara TSMC dan SK Hynix dimaksudkan untuk 'membangun front persatuan melawan Samsung Electronics,' yang bersaing dengan kedua perusahaan tersebut dalam pembuatan chip logika dan memori. Laporan seperti ini biasa terjadi dan sebaiknya ditanggapi dengan hati-hati. Sulit membayangkan TSMC dengan sengaja membatasi kompatibilitas teknologi pengemasannya pada memori SK Hynix, jadi kemungkinan besar TSMC dan SK Hynix hanya bekerja sama lebih dalam dibandingkan TSMC dengan Samsung.